RQ6E035SPTR
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ6E035SPTR
- 商品编号
- C7060767
- 商品封装
- TSMT6(SC-95)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V,3.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 950mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF@10V |
商品概述
采用SOT404封装的标准电平N沟道MOSFET，工作温度可达175°C。该产品专为广泛的工业、通信和家用设备设计并通过相关认证。
商品特性
- 低开关和传导损耗，效率高
- 适用于标准电平栅极驱动源
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电机控制
- 负载开关
- 服务器电源