商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 950mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF |
商品概述
采用SOT404封装的标准电平N沟道MOSFET，工作温度可达175°C。该产品专为广泛的工业、通信和家用设备设计并通过相关认证。
商品特性
- 低导通电阻
- 内置栅源保护二极管
- 小型表面贴装封装(TSMT6)
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
应用领域
-开关应用