商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A；80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF |
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率封装(HSOP8)
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
应用领域
-开关应用
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A；80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF |
-开关应用