- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STH180N10F3-2
1个N沟道 耐压:100V 电流:180A
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- 描述
- 该器件是采用STripFET™ F3技术开发的N沟道功率MOSFET。其设计旨在将导通电阻和栅极电荷降至最低，以提供卓越的开关性能。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH180N10F3-2
- 商品编号
- C7021355
- 商品封装
- H2PAK-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.811625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 315W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.665nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
该器件是采用STripFETTM F3技术开发的N沟道功率MOSFET。其设计旨在将导通电阻和栅极电荷降至最低,以提供卓越的开关性能。
商品特性
- 超低导通电阻
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用
- STI10NM60N
- 50A45-01-1-05N
- STH21K33P07-38.400M
- 50A45-01-1-06N
- 50A60-01-2-02N
- STH21K33P27-26.000M
- 50AT60-01-2-03N
- STH21K33R17-26.000M
- 50B45-01-1-03N
- STH21K33R17-38.400M
- 50B45-01-1-05N
- STH21K33R27-26.000M
- 50B90-01-1-04N-F
- STH22K33F16-26.000M
- 50BS36-01-1-02N
- STH22K33O17-38.400M
- 50BS36-01-2-02N
- STH22K33O38-38.400M
- STH22K33R27-38.400M
- 50C36-01-1-07S
- 50C45-01-1-03N