- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STGD6NC60H-1
STGD6NC60H-1
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGD6NC60H-1
- 商品编号
- C7021331
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 7A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 21A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 205pF | |
| 输出电容(Coes) | 32pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 5.5pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 76ns | |
| 导通损耗(Eon) | 20uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 68uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用基于条形布局的高压技术设计的IGBT系列，后缀H标识的系列针对高频应用优化，可实现较高的开关性能（降低t_all）并保持低电压降。
商品特性
- 低导通压降（V_cesat）
- 低C_RES/C_IES比率（无交叉导通敏感性）
- 高频工作
应用领域
- 高频逆变器
- 硬开关和谐振拓扑中的SMPS与PFC
- 电机驱动器