- 引脚图
- 焊盘图
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STGWA25S120DF3
STGWA25S120DF3
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGWA25S120DF3
- 商品编号
- C7021333
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 25A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 100A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.6nF | |
| 输出电容(Coes) | 125pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 61pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 31ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 147ns | |
| 导通损耗(Eon) | 830uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.37mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 265ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件是采用先进专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT，属于1200V IGBT的S系列，专为最大化低频工业系统的效率而设计。此外，正的VCE(sat)温度系数和紧密的参数分布使得并联操作更安全。
商品特性
- 短路耐受时间为10μs
- VCE(sat)=1.6V（典型值）@IC=25A
- 参数分布紧密
- 并联更安全
- 低热阻
- 软且快速恢复的反并联二极管
应用领域
- 工业驱动器
- UPS
- 太阳能
- 焊接