- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTE2370
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 10V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.3V@5mA,200mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 800mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 4.7kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 0.1uA |
商品特性
- 内置偏置电阻（R1 = 4.7kΩ，R2 = 4.7kΩ）
- 小型封装（TO92 型）
应用领域
- 开关电路
- 反相器
- 接口电路
- 驱动器