NTE2370
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 输入电阻 | 4.7kΩ | |
| 电阻比率 | 1 |
商品特性
- 内置偏置电阻（R1 = 4.7kΩ，R2 = 4.7kΩ）
- 小型封装（TO92 型）
应用领域
- 开关电路
- 反相器
- 接口电路
- 驱动器
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 输入电阻 | 4.7kΩ | |
| 电阻比率 | 1 |