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NTE2395实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTE2395

1个N沟道 耐压:60V 电流:50A

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品牌名称
NTE Electronics
商品型号
NTE2395
商品编号
C7015820
商品封装
TO-220​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V,31A
属性参数值
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)67nC@10V
输入电容(Ciss)1.9nF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

商品特性

  • 沟槽式场效应功率MOSFET
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 通过AEC-Q101认证
  • 材料分类:有关合规性定义,请参阅www.vishay.com/doc?99912
  • P沟道MOSFET

数据手册PDF