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TPC8132,LQ(S
1个P沟道 耐压:40V 电流:7A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPC8132,LQ(S
- 商品编号
- C6886359
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.58nF |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的后续产品，是专门针对移相全桥（ZVS）和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、拥有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）并改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势，同时具备出色的硬换相鲁棒性，且在设计导入过程中易于实施。
商品特性
- 采用小型薄型封装,占用空间小
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 20 mΩ(典型值)(VGS = -10 V)
- 低漏电流:IDSS = -10 μA(最大值)(VDS = -40 V)
- 增强型:Vth = -0.8 至 -2.0 V(VDS = -10 V,ID = -0.2 mA)
应用领域
- 锂离子二次电池
- 电源管理开关