TPN4R303NL,L1Q
1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPN4R303NL,L1Q
- 商品编号
- C6886411
- 商品封装
- TSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 700mW；34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF@15V |
商品特性
- 小型薄封装
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.2 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 30 V）
- 增强模式：Vth = 1.3 至 2.3 V（VDS = 10 V，ID = 0.2 mA）
应用领域
- 锂离子二次电池-电源管理开关