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TPN1200APL,L1Q
1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- 特性：高速开关。 小栅极电荷：Q_SW = 7.5 nC（典型值）。 小输出电荷：Q_SS = 24 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 9.8 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 100 V)。 增强模式：V_th = 1.5 至 2.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPN1200APL,L1Q
- 商品编号
- C6886409
- 商品封装
- TSON-8(3.1x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.086克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 104W；630mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.855nF@50V |
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小：Q_SW = 8.2 nC（典型值）
- 漏源导通电阻低：RDS(ON) = 44 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 漏电流低： IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 250 V）
- 增强型：V_th = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V， ID = 1.0 mA）
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器