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IMZA65R083M1HXKSA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:26A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMZA65R083M1HXKSA1
- 商品编号
- C6879297
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 111mΩ@18V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@18V | |
| 输入电容(Ciss) | 624pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 大电流下开关特性优化
- 换相稳健的快速体二极管,Qfr 低
- 出色的栅极氧化层可靠性
- 最高结温 T i, max = 175°C,热性能优异
- 导通电阻 RDS(on) 和脉冲电流的温度依赖性更低
- 雪崩能力增强
- 与标准驱动器兼容
- 开尔文源极可使开关损耗降低达 4 倍
应用领域
-开关电源-不间断电源 (UPS)-太阳能光伏逆变器-电动汽车充电基础设施-储能与电池化成-D 类放大器