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IPW60R031CFD7XKSA1

1个N沟道耐压:600V 电流:63A

描述: CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。最新的 CoolMOS™ CFD7 是 CoolMOS™ CFD2 系列的后续产品，是专门针对移相全桥（ZVS）和 LLC 等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、拥有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）并改善了关断特性，CoolMOS™ CFD7 在谐振拓扑中具备最高效率
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPW60R031CFD7XKSA1
商品编号: C6883727
商品封装: TO-247-3
包装方式: 管装
商品毛重: 8.92克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,它根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是专门针对软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)优化的平台。由于降低了栅极电荷(Qg)、拥有同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)并改善了关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合,且在设计导入过程中易于实施。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。总体而言,CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便且更低温。

商品特性

-超快体二极管-低栅极电荷-同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)-改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性-最低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss-SMD和THD封装中同类最佳的RDS(ON)

应用领域

软开关拓扑
移相全桥(ZVS)、LLC应用 – 服务器、电信、电动汽车充电
工业应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	63A
	导通电阻(RDS(on))	31mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	278W
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	141nC@10V
	输入电容(Ciss)	5.623nF
	工作温度	-55℃~+150℃