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IPT65R080CFD7XTMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPT65R080CFD7XTMA1

650V CoolMOSTM CFD7超结功率器件

描述
最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级,是650V CoolMOS™ CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能,该产品在谐振开关拓扑(如LLC和移相全桥 (ZVS))中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合。该技术满足了最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。
商品型号
IPT65R080CFD7XTMA1
商品编号
C6883725
商品封装
HSOF-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.88克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)34A
导通电阻(RDS(on))67mΩ@10V
耗散功率(Pd)201W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)50nC@10V
输入电容(Ciss)2.513nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)40pF

商品特性

  • 国际标准封装
  • 快速恢复二极管
  • 具备非箝位感性开关(UIS)额定值
  • 封装电感低
  • 易于驱动和保护
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 功率密度高

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC转换器
  • 激光驱动器
  • 交流和直流电机控制
  • 机器人技术和伺服控制

数据手册PDF