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BR25G320FVM-3GTR
BR25G320FVM-3GTR
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- BR25G320FVM-3GTR
- 商品编号
- C6869673
- 商品封装
- MSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 32Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 20MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 1.6V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 2mA | |
| 待机电流 | 2uA | |
| 读取访问时间(tA) | - |
商品概述
BR25G320-3是32Kbit串行EEPROM，采用SPI总线接口。
商品特性
- 高速时钟操作，最高可达20MHz
- 通过HOLDB端子实现等待功能
- 可通过编程将部分或全部存储阵列设置为只读存储区
- 1.6V至5.5V单电源工作，非常适合电池应用
- 页写模式最多支持32字节
- 适用于SPI总线接口，模式(CPOL, CPHA) = (0, 0), (1, 1)
- 自定时编程周期
- 低电流消耗：写入操作(5V)时典型值0.5mA，读取操作(5V)时典型值2.0mA，待机操作(5V)时典型值0.1 μA
- 读取操作时地址自动递增功能
- 防止写入错误：上电时写保护、通过命令码(WRDI)写保护、通过WPB引脚写保护、通过状态寄存器(BP1, BP0)设置写保护块
- 低电压下防止写入错误
- 数据保存期限超过100年
- 写入次数超过100万次
- 位格式为4K × 8
- 初始交付数据：存储阵列内容为FFh，状态寄存器WPEN、BP1、BP0为0
- BR25H128FJ-5ACE2
- BR25H160FJ-WCE2
- BR25H640F-2CE2
- BR25L010FVM-WTR
- BR25L080FV-WE2
- BR93A46RFVT-WME2
- BR93G46FV-3AGTE2
- BW21S7511C01TF
- BWA-HW-017
- BWCC00201208670M02
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- BR3
- BWCM000604044N7J00
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- BR35_R1_00001
- BR39_R1_00001
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- BWCM001107052N7DH8
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