BR93A46RFVT-WME2
BR93A46RFVT-WME2
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- BR93A46RFVT-WME2
- 商品编号
- C6869693
- 商品封装
- TSSOP-8-175mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 1Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 2MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 40年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 硬件写保护功能;内置上电复位(POR);噪声抑制功能;软件写保护功能 | |
| 工作电压 | 2.5V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 工作电流 | 4.5mA | |
| 待机电流 | 2uA | |
| 读取访问时间(tA) | - |
商品概述
BR93Axx-WM是采用串行3线接口方式的串行EEPROM。
商品特性
- 芯片选择、串行时钟、串行数据输入/输出(输入和输出共享)的3线通信
- 宽温度范围 -40°C至 +105°C
- 可在2MHz时钟(2.5V至5.5V)的高速下操作
- 支持快速写入(最大写入时间5ms)
- 从1Kbit到16Kbit具有相同的封装和引脚布局
- 2.5V至5.5V单电源操作
- 读取操作时具有地址自动递增功能
- 写入错误预防功能:上电时禁止写入;通过命令代码禁止写入;低电压时的写入错误预防功能
- 编程周期自动删除和自动结束功能
- 通过READY / BUSY显示编程状态
- 低电流消耗:写入操作(5V时):1.2mA(典型值);读取操作(5V时):0.3mA(典型值);待机状态(5V时):0.1μA(典型值)(CMOS输入)
- TTL兼容(输入/输出)
- 数据保留40年(Ta ≤ 25°C)
- 耐久性高达1,000,000次(Ta ≤ 25°C)
- 出厂时所有地址的数据为FFFFh
- 通过AEC-Q100认证
- BR93G46FV-3AGTE2
- BR93G66FJ-3AGTE2
- BR93G66NUX-3BTTR
- BR93G76FJ-3GTE2
- BR93G86FV-3BGTE2
- BR93H86RFVT-2CE2
- BWCM001107053N3BL8
- BWCM001107053N4CL8
- BWCM001107053N8CH8
- BWCM001107054N0CH8
- BWCM001107055N3BL8
- BWCM001107055N7DL8
- BWCM001107056N2BH8
- BRDS100
- BRFL2518T1R5M
- BWCM0011070575NGH8
- BWCM001107057N3GL8
- BRNS12
- BRNS20
- BWCM001107059N0JH8
- BRP4535S-12-C


