商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 16Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 10MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 4ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 | |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；页写保护功能；硬件写保护功能；软件写保护功能 | |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
BR25H640 - 2C是一款采用SPI总线接口方式的串行EEPROM。
商品特性
- 高速时钟操作，最高可达10MHz（最大值）
- 通过HOLDB端子实现等待功能
- 可通过编程将部分或全部存储阵列设置为只读存储区域
- 2.5V至5.5V单电源操作，非常适合电池供电使用
- 页写模式，便于工厂出货时写入初始值
- 适用于SPI总线接口（CPOL，CPHA）=（0，0），（1，1）
- 自定时编程周期
- 低电源电流：写操作（5V）时为1.1mA（典型值）；读操作（5V）时为1.0mA（典型值）；待机操作（5V）时为0.1μA（典型值）
- 读操作时具有地址自动递增功能
- 防止写错误：上电时禁止写入；通过命令代码（WRDI）禁止写入；通过WPB引脚禁止写入；通过状态寄存器（BP1，BP0）设置写禁止块；低电压时防止写错误
- 采用TSSOP - B8、SOP8、SOP - J8封装
- 初始交付状态：FFh，状态寄存器WPEN、BP1、BP0为0
- 数据保留时间超过100年
- 写周期超过100万次
- 通过AEC - Q100认证
- BR25L010FVM-WTR
- BR25L010FVT-WE2
- BR25L080FV-WE2
- BR93A46RFVT-WME2
- BR93G46FV-3AGTE2
- BR93G66FJ-3AGTE2
- BR93G66NUX-3BTTR
- BWCC00201208670M02
- BWCM000604041N9C00
- BWCM000604043N0C00
- BR3
- BWCM000604044N7J00
- BWCM001107052N4BL8
- BR35_R1_00001
- BR39_R1_00001
- BWCM001107052N7BH8
- BWCM001107052N7DH8
- BWCM001107053N3BL8
- BWCM001107053N4CL8
- BWCM001107053N8CH8
- BWCM001107054N0CH8