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GS8673ED18BGK-675I引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GS8673ED18BGK-675I

GS8673ED18BGK-675I

品牌名称
广船国际技术
商品型号
GS8673ED18BGK-675I
商品编号
C6867399
商品封装
BGA-260(14x22)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
属性参数值
功能特性内置ECC功能;边界扫描(JTAG)功能;内置延迟锁定环

商品概述

SigmaQuad-IIIe ECCRAM是高性能ECCRAM系列SigmaQuad-IIIe/SigmaDDR-IIIe中具有独立输入输出(I/O)的产品。尽管与GSI第二代网络静态随机存取存储器(SRAM)(SigmaQuad-II/SigmaDDR-II系列)非常相似,但这些第三代设备提供了几个新特性,有助于显著提高性能。GSI的ECCRAM实现了一种ECC算法,可检测和纠正所有单比特内存错误,包括由软错误率(SER)事件(如宇宙射线、α粒子等)引起的错误。这些设备的SER预计小于0.002 FITs/Mb,相比于没有片上ECC的同类SRAM(通常SER为200 FITs/Mb或更高)有了5个数量级的提升。上述SER是在海平面测量得出的。GS8673ED18/36BK SigmaQuad-IIIe ECCRAM是同步设备,采用双单端主时钟CK和CK(上划线)来控制地址和控制输入寄存器以及所有输出时序。KD和KD(上划线)时钟是用于控制数据输入寄存器的双同步输入时钟。SigmaQuad-IIIe B4 ECCRAM的每次内部读写操作比设备I/O总线宽四倍。电源必须同时上电,或按VSS、VDD、VDDQ、VREF和输入的顺序上电,同时必须同时掉电或按相反顺序掉电。

商品特性

  • 具有几乎为零软错误率(SER)的片上纠错码(ECC)
  • 可配置读取延迟(3.0或2.0个周期)
  • 同步读写SigmaQuad-IIIe接口
  • 独立的输入输出(I/O)总线
  • 双倍数据速率接口
  • 4个突发读写操作
  • 流水线读取操作
  • 完全连贯的读写流水线
  • 标称1.35V的VDD
  • 1.2V符合JESD8 - 16A BIC - 3标准的接口
  • 1.5V高速收发逻辑(HSTL)接口
  • 用于可编程输出驱动阻抗的ZQ引脚
  • 用于可编程输入终端阻抗的ZT引脚
  • 可配置输入终端
  • 符合IEEE 1149.1联合测试行动小组(JTAG)标准的边界扫描
  • 260球、14mm×22mm、1mm球间距的球栅阵列(BGA)封装
  • K:5/6符合有害物质限制指令(RoHS)的封装
  • GK:6/6符合有害物质限制指令(RoHS)的封装

数据手册PDF