GS8673ED18BGK-675I
GS8673ED18BGK-675I
- 品牌名称
- 广船国际技术
- 商品型号
- GS8673ED18BGK-675I
- 商品编号
- C6867399
- 商品封装
- BGA-260(14x22)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置ECC功能;边界扫描(JTAG)功能;内置延迟锁定环 |
商品概述
SigmaQuad-IIIe ECCRAM是高性能ECCRAM系列SigmaQuad-IIIe/SigmaDDR-IIIe中具有独立输入输出(I/O)的产品。尽管与GSI第二代网络静态随机存取存储器(SRAM)(SigmaQuad-II/SigmaDDR-II系列)非常相似,但这些第三代设备提供了几个新特性,有助于显著提高性能。GSI的ECCRAM实现了一种ECC算法,可检测和纠正所有单比特内存错误,包括由软错误率(SER)事件(如宇宙射线、α粒子等)引起的错误。这些设备的SER预计小于0.002 FITs/Mb,相比于没有片上ECC的同类SRAM(通常SER为200 FITs/Mb或更高)有了5个数量级的提升。上述SER是在海平面测量得出的。GS8673ED18/36BK SigmaQuad-IIIe ECCRAM是同步设备,采用双单端主时钟CK和CK(上划线)来控制地址和控制输入寄存器以及所有输出时序。KD和KD(上划线)时钟是用于控制数据输入寄存器的双同步输入时钟。SigmaQuad-IIIe B4 ECCRAM的每次内部读写操作比设备I/O总线宽四倍。电源必须同时上电,或按VSS、VDD、VDDQ、VREF和输入的顺序上电,同时必须同时掉电或按相反顺序掉电。
商品特性
- 具有几乎为零软错误率(SER)的片上纠错码(ECC)
- 可配置读取延迟(3.0或2.0个周期)
- 同步读写SigmaQuad-IIIe接口
- 独立的输入输出(I/O)总线
- 双倍数据速率接口
- 4个突发读写操作
- 流水线读取操作
- 完全连贯的读写流水线
- 标称1.35V的VDD
- 1.2V符合JESD8 - 16A BIC - 3标准的接口
- 1.5V高速收发逻辑(HSTL)接口
- 用于可编程输出驱动阻抗的ZQ引脚
- 用于可编程输入终端阻抗的ZT引脚
- 可配置输入终端
- 符合IEEE 1149.1联合测试行动小组(JTAG)标准的边界扫描
- 260球、14mm×22mm、1mm球间距的球栅阵列(BGA)封装
- K:5/6符合有害物质限制指令(RoHS)的封装
- GK:6/6符合有害物质限制指令(RoHS)的封装
- GS8673EQ18BGK-675I
- GS8673ET18BGK-675I
- GS88036CGT-300I
- GS882Z36CGD-300I
- GPX-7-64-50
- GQM1555C2D5R3WB01D
- BACC63BV20F16P6H
- GQM1555C2D6R7WB01D
- GQM1555C2D8R8BB01D
- BACC63BV20F16P7H
- GQM1555G2D9R3BB01D
- GQM1875C2E2R0BB12D
- GQM1885C1H110JB01D
- GQM2195C2E4R7CB12D
- GQM2195C2E4R7WB12D
- GQM2195G2E111GB12D
- BACC63BV20F41S6H
- GQM2195G2E3R1DB12D
- GR321AD7LP103KW01D
- GSA.8822.B.301111
- GR321AD7LP103KW01J

