GS8673ET18BGK-675I

品牌名称: 广船国际技术
商品型号: GS8673ET18BGK-675I
商品编号: C6867409
商品封装: BGA-260(14x22)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)

	属性	参数值
	功能特性	内置ECC功能；边界扫描(JTAG)功能；内置延迟锁定环

商品概述

SigmaDDR-IIIe系列SRAM是SigmaQuad-IIIe/SigmaDDR-IIIe高性能SRAM家族中的通用输入/输出部分。尽管与第二代网络SRAM家族非常相似，但第三代家族提供了支持更高运行速度的新特性，例如用户可配置的片上输入终端、改进的输出信号完整性以及可调整的流水线长度。GS8673ET18/36BK SigmaDDR-IIIe ECCRAM是同步器件，采用双单端主时钟CK和CK（上划线）来控制地址、控制输入寄存器以及所有输出时序。KD和KD（上划线）时钟是双准同步输入时钟，专门用于控制数据输入寄存器，因此数据输入的建立和保持窗口可以独立于地址及控制输入的建立和保持窗口进行优化。SigmaDDR-IIIe B2 ECCRAM中的每个内部读写操作宽度是器件输入/输出总线宽度的两倍。使用输入数据总线解复用器在写入存储器阵列前累积输入数据，使用输出数据复用器捕获从存储器阵列单次读取产生的数据，然后根据需要将其路由至相应的输出驱动器。因此，SigmaDDR-IIIe B2 ECCRAM的地址字段总是比标称的索引深度少一个地址引脚。该系列器件实现了可检测并校正所有单位存储器错误的ECC算法，包括由软错误率事件引起的错误，从而使这些器件的软错误率预计低于0.002 FITs/Mb，相比无片上ECC的同类SRAM有五个数量级的提升。ECC算法使用5个ECC奇偶校验位来保护每18个用户可见的数据位，该算法既不校正也不检测多位错误，但其架构确保单个粒子撞击不会在单个ECC保护字内引起多位错误。

商品特性

片上ECC，软错误率几乎为零
可配置的读取延迟
支持同时读写操作的SigmaDDR-IIIe接口
通用输入/输出总线
双倍数据速率接口
突发长度为2的读写操作
流水线式读取操作
完全一致的读写流水线
标称VDD为1.35 V
符合JESD8-16A BIC-3标准的1.2 V接口
1.5 V HSTL接口
用于可编程输出驱动阻抗的ZQ引脚
用于可编程输入终端阻抗的ZT引脚
可配置的输入终端
符合IEEE 1149.1标准的JTAG边界扫描
260焊球，14 mm × 22 mm，1 mm焊球间距的BGA封装
K：符合5/6 RoHS标准的封装
GK：符合6/6 RoHS标准的封装

数据手册PDF

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