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GS882Z36CGD-300I引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GS882Z36CGD-300I

GS882Z36CGD-300I

品牌名称
广船国际技术
商品型号
GS882Z36CGD-300I
商品编号
C6867417
商品封装
FPBGA-165(13x15)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
属性参数值
功能特性自动掉电功能;边界扫描(JTAG)功能

商品概述

GS882Z18/36C882Z18C 是一款9兆位同步静态SRAM。NBT SRAM,如ZBT、NtRAM、NoBL或其他流水线读/双延迟写或直通读/单延迟写SRAM,通过消除在读写周期切换时需要插入取消选择周期,允许利用所有可用总线带宽。作为同步设备,地址、数据输入和读写控制输入在输入时钟的上升沿捕获。突发顺序控制(LBO)必须连接到电源轨以确保正常工作。异步输入包括睡眠模式使能(ZZ)和输出使能。输出使能可用于覆盖输出驱动器的同步控制,随时关闭RAM的输出驱动器。写周期内部自定时,由时钟输入的上升沿启动。此特性消除了异步SRAM所需的复杂片外写脉冲生成,简化了输入信号时序。用户可将GS882Z18/36C配置为流水线或直通模式。作为流水线同步设备,除了捕获输入信号的上升沿触发寄存器外,该设备还包含一个上升沿触发的输出寄存器。对于读周期,流水线SRAM输出数据在访问周期期间由边沿触发输出寄存器临时存储,然后在下一个时钟上升沿释放到输出驱动器。该器件采用高性能CMOS技术实现,提供符合JEDEC标准的119凸点BGA和165凸点FPBGA封装。

商品特性

  • NBT(无总线转向)功能实现零等待读写读总线利用率;与流水线和直通NtRAM、NoBL和ZBT SRAM完全引脚兼容
  • 2.5伏或3.3伏核心电源,容差±10%
  • 2.5伏或3.3伏输入/输出电源
  • 用户可配置的流水线和直通模式
  • ZQ模式引脚用于用户可选的高/低输出驱动
  • 符合IEEE 1149.1标准的JTAG边界扫描
  • LBO引脚用于线性或交错突发模式
  • 与2兆位、4兆位和18兆位器件引脚兼容
  • 字节写操作(9位字节)
  • 3个芯片使能信号便于深度扩展
  • ZZ引脚用于自动断电
  • 符合JEDEC标准的119凸点BGA和165凸点FPBGA封装
  • 提供符合RoHS标准的119凸点和165凸点BGA封装

数据手册PDF