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HXY12N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用TO-220F封装，额定电压高达650V，连续电流承载能力为12A，专为高功率电子设备设计，适用于电源转换、电机驱动等场景，提供强大稳定且高效的开关控制性能。
- 商品型号
- HXY12N65F
- 商品编号
- C6851450
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.509克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 670mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.993nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |