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HXY12N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用TO-220F封装，额定电压高达650V，连续电流承载能力为12A，专为高功率电子设备设计，适用于电源转换、电机驱动等场景，提供强大稳定且高效的开关控制性能。
- 商品型号
- HXY12N65F
- 商品编号
- C6851450
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.509克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 同步整流器 电源管理功能 DC-DC转换器
商品特性
- VDS = 650 V,ID = 12 A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 0.8Ω
应用领域
-适配器和充电器的功率开关电路。