2ED2388S06FXUMA1

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: 2ED2388S06FXUMA1
商品编号: C6798608
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.7V~2.4V
	输入低电平(VIL)	700mV~1.1V
	静态电流(Iq)	-
	功能特性	内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制

商品概述

2ED2388S06F是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于英飞凌的SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪能力，能够在VS引脚瞬态电压高达 -11V（VCC = 15V）的负电压下保持逻辑运行。该器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，其工作电压高达650V。

商品特性

独特的英飞凌薄膜绝缘体上硅（SOI）技术，VS负瞬态抗扰度为 -100V
浮动通道专为自举操作而设计
工作电压（VS节点）高达 +650V，最大自举电压（VB节点）为 +675V
集成超快速、低电阻自举二极管，具有100ns死区时间和集成的直通保护逻辑
VS引脚逻辑工作电压可达 -11V
输入负电压容限为 -5V
两个通道均具有独立的欠压锁定功能
带迟滞的施密特触发器输入
3.3V、5V和15V输入逻辑兼容，最大电源电压为25V
DSO - 8封装，符合RoHS标准

应用领域

照明与控制
工业照明（高功率）
电机控制
通用逆变器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	-
	拉电流(IOH)	-
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	70ns
	下降时间(tf)	35ns