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2EDL8034G3CXTMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2EDL8034G3CXTMA1

120V boot,3A/4A,结隔离高低侧栅极驱动IC

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私有库下单最高享92折
描述
设计用于半桥配置中驱动高端和低端 MOSFET。浮动高端驱动器能够驱动工作电压高达 120V 自举电压的高端 MOSFET。版本 4 提供完整的 4A 电流能力,而版本 3 提供 3A。高端偏置电压使用集成自举二极管通过自举技术生成。驱动器的输入与 TTL 逻辑兼容,能够承受从 -10V 到 20V 的输入共模摆幅。独立输入允许独立控制高端和低端域。高端和低端电源上的欠压锁定 (UVLO) 在电源不足的情况下强制相应输出为低电平。有 SON-8 引脚 4mm×4mm、SON-10 引脚 4mm×4mm 和 SON-10 引脚 3mm×3mm 封装。
商品型号
2EDL8034G3CXTMA1
商品编号
C6798612
商品封装
PG-VSON-10-4​
包装方式
编带
商品毛重
0.51克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)6A
拉电流(IOH)4A
工作电压8V~17V
上升时间(tr)4.6ns
下降时间(tf)4.4ns
属性参数值
传播延迟 tpLH33ns
传播延迟 tpHL33ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)1.8V~2.9V
输入低电平(VIL)1V~2.1V
静态电流(Iq)290uA
功能特性使能关断;内置自举二极管

商品概述

2EDL803x 设计用于在半桥配置中驱动高端和低端 MOSFET。浮动高端驱动器能够驱动工作在高达 120V 自举电压的高端 MOSFET。版本 4 提供完整的 4A 电流能力,而版本 3 提供 3A。高端偏置电压使用集成自举二极管通过自举技术产生。驱动器的输入与 TTL 逻辑兼容,能够承受从 -10V 到 20V 的输入共模摆幅。独立输入允许独立控制高端和低端域。高端和低端电源上的欠压锁定 (UVLO) 在电源不足的情况下会强制相应的输出为低电平。2EDL803x 提供 SON - 8 引脚 4mm × 4mm、SON - 10 引脚 4mm × 4mm 和 SON - 10 引脚 3mm × 3mm 封装。

商品特性

  • 电平转换高端和低端双通道驱动器
  • 独立的高端和低端 TTL 逻辑输入
  • 3A 和 4A 源电流/6A 灌电流输出能力
  • 120V 绝对最大自举电压
  • 集成自举二极管
  • -10V 至 20V 输入引脚能力,增强了鲁棒性
  • -5A 输出引脚反向电流能力
  • HS 端 -12V 绝对最大负电压
  • 8V 至 17V 电源电压工作范围
  • 高端和低端驱动器均有欠压锁定 (UVLO)
  • 快速传播延迟 (< 35ns)
  • 典型延迟匹配 2ns
  • SON10 (3 × 3) 封装具备使能/禁用功能
  • 提供 SON8 (4x4)、SON10 (4x4) 和 SON10 (3x3) 封装
  • 指定工作结温范围为 -40°C 至 125°C

应用领域

  • 电信/数据通信半桥和全桥功率转换器
  • 电流馈电推挽式转换器
  • 降压转换器
  • 双开关正激式转换器
  • 有源钳位正激式转换器

数据手册PDF