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2EDL8034G3CXTMA1
120V boot，3A/4A，结隔离高低侧栅极驱动IC
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- 描述
- 设计用于半桥配置中驱动高端和低端 MOSFET。浮动高端驱动器能够驱动工作电压高达 120V 自举电压的高端 MOSFET。版本 4 提供完整的 4A 电流能力，而版本 3 提供 3A。高端偏置电压使用集成自举二极管通过自举技术生成。驱动器的输入与 TTL 逻辑兼容，能够承受从 -10V 到 20V 的输入共模摆幅。独立输入允许独立控制高端和低端域。高端和低端电源上的欠压锁定 (UVLO) 在电源不足的情况下强制相应输出为低电平。有 SON-8 引脚 4mm×4mm、SON-10 引脚 4mm×4mm 和 SON-10 引脚 3mm×3mm 封装。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 2EDL8034G3CXTMA1
- 商品编号
- C6798612
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 6A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 8V~17V | |
| 上升时间(tr) | 4.6ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 4.4ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V~2.9V | |
| 输入低电平(VIL) | 1V~2.1V | |
| 静态电流(Iq) | 290uA |
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