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2EDL8034G3CXTMA1

120V boot，3A/4A，结隔离高低侧栅极驱动IC

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描述: 设计用于半桥配置中驱动高端和低端 MOSFET。浮动高端驱动器能够驱动工作电压高达 120V 自举电压的高端 MOSFET。版本 4 提供完整的 4A 电流能力，而版本 3 提供 3A。高端偏置电压使用集成自举二极管通过自举技术生成。驱动器的输入与 TTL 逻辑兼容，能够承受从 -10V 到 20V 的输入共模摆幅。独立输入允许独立控制高端和低端域。高端和低端电源上的欠压锁定 (UVLO) 在电源不足的情况下强制相应输出为低电平。有 SON-8 引脚 4mm×4mm、SON-10 引脚 4mm×4mm 和 SON-10 引脚 3mm×3mm 封装。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: 2EDL8034G3CXTMA1
商品编号: C6798612
商品封装: PG-VSON-10-4
包装方式: 编带
商品毛重: 0.51克(g)

商品参数

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	33ns
	传播延迟 tpHL	33ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.8V~2.9V
	输入低电平(VIL)	1V~2.1V
	静态电流(Iq)	290uA
	功能特性	使能关断；内置自举二极管

商品概述

2EDL803x设计用于在半桥配置中驱动高侧和低侧MOSFET。其浮动高侧驱动器能够驱动工作电压高达120伏自举电压的高侧MOSFET。版本4提供完整的4安电流能力，而版本3提供3安。高侧偏置电压通过使用集成自举二极管的自举技术产生。驱动器的输入与TTL逻辑兼容，可承受从负10伏到20伏的输入共模摆幅。独立的输入允许分别控制高侧和低侧域。高侧和低侧电源上的欠压锁定（UVLO）在电源不足时强制相应输出为低电平。2EDL803x提供SON-8引脚4毫米×4毫米、SON-10引脚4毫米×4毫米和SON-10引脚3毫米×3毫米封装。

商品特性

电平转换高侧低侧双通道驱动器
独立的高侧和低侧TTL逻辑输入
3安及4安源极/6安漏极输出电流能力
120伏最大自举电压
集成自举二极管
负10伏至20伏输入引脚能力，增强鲁棒性
负5安输出引脚反向电流能力
高侧负12伏最大负电压
8伏至17伏电源电压工作范围
高侧和低侧驱动器均具有欠压锁定
快速传播延迟（小于35纳秒）
2纳秒典型延迟匹配
SON10（3×3）封装中具备使能/禁用功能
提供SON8（4×4）、SON10（4×4）和SON10（3×3）封装
工作结温范围为零下40摄氏度至125摄氏度

应用领域

电信/数据通信半桥和全桥电源转换器
电流馈送推挽转换器
降压转换器
双开关正激转换器
有源钳位正激转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	6A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	8V~17V
	上升时间(tr)	4.6ns
	下降时间(tf)	4.4ns