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IRFD9210PBF

1个P沟道耐压:200V 电流:400mA

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRFD9210PBF
商品编号: C727604
商品封装: HVMDIP-4
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

功率MOSFET技术是威世（Vishay）先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。功率MOSFET设计采用高效的几何结构和独特的工艺，实现了极低的导通电阻，同时具备高跨导和出色的器件耐用性。 4引脚DIP封装是一种低成本的机器可插入式封装样式，可在标准0.1英寸引脚间距上进行多种组合堆叠。双漏极可作为与安装表面的热连接，功率耗散能力高达1 W。

商品特性

-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定-适用于自动插入-端部可堆叠-P沟道-快速开关-易于并联-符合RoHS指令2002/95/EC

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	400mA
	导通电阻(RDS(on))	3Ω@10V
	耗散功率(Pd)	1W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	-
	栅极电荷量(Qg)	8.9nC@10V
	输入电容(Ciss)	170pF
	反向传输电容(Crss)	16pF
	工作温度	-55℃~+150℃