1个P沟道 耐压:60V 电流:35A
- 1+: ¥2.46 / 个
- 10+: ¥1.95 / 个
- 30+: ¥1.74 / 个
- 100+: ¥1.47 / 个
- 500+: ¥1.35 / 个
- 1000+: ¥1.28 / 个 (折合1圆盘3200元)
1+: |
¥2.46 / 个 |
10+: |
¥1.95 / 个 |
30+: |
¥1.74 / 个 |
100+: |
¥1.47 / 个 |
500+: |
¥1.35 / 个 |
1000+: |
¥1.28 / 个 (折合1圆盘3200元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 35A | |
功率(Pd) | 52.1W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@10V,18A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 25nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.635nF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 141pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |