SIR462DP-T1-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SIR462DP-T1-VB商品编号
C725181商品封装
PQFN-8(4.9x5.8)包装方式
编带
商品毛重
0.168克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 20.8A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 3.25W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 31.5nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.201nF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 170pF@15V |
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