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SI4532ADY-T1-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4532ADY-T1-VB
- 商品编号
- C725173
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 510pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义，无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 电机驱动
- 移动电源