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IRF7815TR-VB
1个N沟道 耐压:150V 电流:5.4A
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF7815TR-VB
- 商品编号
- C725077
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.735nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WSD20L70DN33是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WSD20L70DN33符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量（EAS），并通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证EAS
- 提供绿色器件
应用领域
-用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步降压转换器-网络DC-DC电源系统-负载开关