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IRLL110TRPBF-VB实物图
IRLL110TRPBF-VB商品缩略图
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IRLL110TRPBF-VB

1个N沟道 耐压:100V 电流:5A

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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道型器件,采用Trench工艺制造,适用于低功率电源模块、汽车电子、智能家居等领域。SOT223;N—Channel沟道,100V;5A;RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~3V;
商品型号
IRLL110TRPBF-VB
商品编号
C725095
商品封装
SOT-223-3
包装方式
编带
商品毛重
0.233克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)3.3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)27nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃

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1+¥2.88
10+¥2.28
30+¥2.02
100+¥1.7
500+¥1.35
1000+¥1.26¥3150

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