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ME4626-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:17A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFE，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能开关的电路和模块。SOP8；N—Channel沟道,30V；25A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ME4626-VB
- 商品编号
- C725112
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.225克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 610pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤素产品
- 采用高密度沟槽功率 MOSFET 技术，实现超低导通电阻
应用领域
- 同步降压低端应用
- 笔记本电脑
- 服务器
- 工作站
- 负载点同步整流器