- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 149pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
采用LFPAK封装的标准电平N沟道MOSFET,工作温度可达175°C。该产品专为广泛的工业、通信和家用设备而设计并通过认证。
商品特性
- 先进的TrenchMOS技术,实现低导通电阻(RDSon)和低栅极电荷
- 改善机械和热特性
- 提升开关电源转换器的效率
- LFPAK封装在Power SO8封装中实现最大功率密度
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电机控制
- 锂离子电池保护
- 服务器电源
- 负载开关