- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 338W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 137nC | |
| 输入电容(Ciss) | 9.997nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 594pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.21nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
采用TO-220封装的标准电平N沟道MOSFET,工作温度可达175°C。本产品经设计和认证,适用于广泛的工业、通信和家用设备。
商品特性
- 低开关和传导损耗,效率高
- 坚固耐用,适用于严苛应用
- 标准电平栅极
应用领域
-直流-直流转换器-负载开关-电机控制-服务器电源