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PJE138K-AU_R1_000A1
1个N沟道 耐压:50V 电流:350mA
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@10V，ID@500mA < 1.6Ω。 RDS(ON)，VGS@4.5V，ID@200mA < 2.5Ω。 RDS(ON)，VGS@2.5V，ID@100mA < 4.5Ω。 先进的沟槽工艺技术。 专为电池供电系统、固态继电器驱动器设计：继电器、显示器、存储器等。 ESD保护2KV HBM。 通过AEC-Q101认证。 符合欧盟RoHS 2.0的无铅标准。 符合IEC61249标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJE138K-AU_R1_000A1
- 商品编号
- C6736052
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027089克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 223mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 当VGS为10 V、ID为500 mA时,RDS(ON) < 1.6 Ω
- 当VGS为4.5 V、ID为200 mA时,RDS(ON) < 2.5 Ω
- 当VGS为2.5 V、ID为100 mA时,RDS(ON) < 4.5 Ω
- 先进沟槽工艺技术
- 静电放电保护2KV人体模型(HBM)
- 通过AEC-Q101认证
- 符合欧盟RoHS 2.0的无铅标准
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料
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