- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJQ4446P-AU_R2_000A1
1个N沟道 耐压:40V 电流:10.5A 电流:48A
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJQ4446P-AU_R2_000A1
- 商品编号
- C6736111
- 商品封装
- DFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A；48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W；50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.258nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AOD442/AOI442采用先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS(on) 和低栅极电荷。这些器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 当VGS为10 V、ID为8 A时,RDS(ON) < 9 mΩ
- 当VGS为4.5 V、ID为4 A时,RDS(ON) < 13 mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 通过AEC-Q101认证
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑料
- PJQ5423_R2_00001
- PJQ5442-AU_R2_000A1
- PJQ5461A_R2_00001
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