- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJQ2888_R1_00001
PJQ2888_R1_00001
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJQ2888_R1_00001
- 商品编号
- C6736106
- 商品封装
- DFN2020-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 640mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 27pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品特性
- 栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏极电流(ID)为 -1.5A 时,导通电阻(RDS(ON))<325mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -2.5V、漏极电流(ID)为 -1.2A 时,导通电阻(RDS(ON))<420mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -2.5V、漏极电流(ID)为 -0.5A 时,导通电阻(RDS(ON))<600mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM 应用等设计
- ESD 保护达 2KV HBM
- 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品
- 符合 IEC61249 标准的绿色模塑料(无卤)
应用领域
- 开关应用
- PJQ4404P-AU_R2_000A1
- PJQ4443P-AU_R2_000A1
- PJQ4446P-AU_R2_000A1
- PJQ5423_R2_00001
- PJQ5442-AU_R2_000A1
- PJQ5461A_R2_00001
- PJQ5463A-AU_R2_000A1
- PJQ5466A1-AU_R2_000A1
- PJQ5474A_R2_00001
- V1D1GHTC-00000-000
- V1D1GNNC-00000-000
- V1D1JCC1-00000-000
- PJSD03TS-AU_R1_000A1
- PJSD08TS_R1_00001
- PJSD12_R1_00001
- V1D1KHNB-G4C00-100
- PJSD15CW-AU_R1_000A1
- PJSD15TS_R1_00001
- PJSOT36-AU_R1_000A1
- V1D1S004-1ZZ00-000
- PJSOT36_R1_00001