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P3M171K0T3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

P3M171K0T3

1个N沟道 耐压:1.7kV 电流:6A

品牌名称
PN Junction
商品型号
P3M171K0T3
商品编号
C6729733
商品封装
TO-220-2L​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.7kV
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))1.4Ω@15V
耗散功率(Pd)100W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.45V
栅极电荷量(Qg)24.4nC@15V
输入电容(Ciss)459pF
反向传输电容(Crss)5.61pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

采用沟槽MOSFET技术,采用无引脚超小型DFN0606-3(SOT8001)表面贴装器件(SMD)塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管(FET)。

商品特性

  • 符合AEC-Q101标准
  • 高阻断电压,低导通电阻
  • 高频运行
  • 极小微栅漏电荷(Qgd)
  • 100%进行非钳位感性开关(UIS)测试
  • 提高系统效率
  • 增加功率密度
  • 降低散热片要求
  • 降低系统成本

应用领域

-太阳能逆变器-电动汽车电池充电器-高压直流/直流转换器-开关模式电源

数据手册PDF