P3M171K0T3
1个N沟道 耐压:1.7kV 电流:6A
- 品牌名称
- PN Junction
- 商品型号
- P3M171K0T3
- 商品编号
- C6729733
- 商品封装
- TO-220-2L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@15V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.45V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.4nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 459pF@1000V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.61pF@1000V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术，采用无引脚超小型DFN0606-3（SOT8001）表面贴装器件（SMD）塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 低阈值电压
- 极快速开关
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电（ESD）保护 >2 kV HBM
- 无引脚超小型超薄SMD塑料封装：0.62 × 0.62 × 0.37 mm
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路
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