商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
AGM30P05AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 低反向传输电容:典型值Crss = 0.02 pF
- 高功率增益:典型值Gps = 18 dB
- 低噪声系数:典型值NF = 3.8 dB
应用领域
- 主板/显卡核心电压-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器