商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
MD25N50是硅N沟道增强型MOSFET，采用先进的MOSFET技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- 动态dv/dt额定值
- 逻辑电平栅极驱动
- 在VGS = 4V和5V下规定的RDS(导通)
- +175°C工作温度
- 快速开关
- 易于并联
- 简单的驱动要求
应用领域
- 高频开关模式电源