商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 92W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 131nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.78nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NTE455是一款N沟道硅双栅MOSFET，设计用于超高频（UHF）电视调谐器中的射频（RF）放大器。该器件特别推荐用于半波长谐振器型调谐器。
商品特性
- 雪崩耐用技术
- 坚固栅极氧化层技术
- 更低的输入电容
- 改进的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 更低的RDS(导通电阻):典型值≥0.254
- 更低的漏电流:在VDS = 400 V时,最大为10^-6 A
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