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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SN74ABT273DB
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 触发器 | |
| 类型 | D-型 | |
| 触发沿 | 上升沿 | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 时钟频率(fc) | 150MHz | |
| 功能 | 复位 | |
| 元件数 | 1 | |
| 每个元件位数 | 8 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟(tpd) | 7.3ns@5V,50pF | |
| 系列 | 74ABT系列 | |
| 灌电流(IOL) | 64mA | |
| 拉电流(IOH) | 32mA | |
| 输入电容 | 7pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 建立时间 | 2ns | |
| 保持时间 | 1.2ns |
商品概述
ABT273是8位正边沿触发的D型触发器，带有直接清零（CLR）输入。它们特别适用于实现缓冲和存储寄存器、移位寄存器和模式发生器。数据（D）输入端满足建立时间要求的信息，会在时钟脉冲的正边沿传输到Q输出端。时钟触发发生在特定电压电平，与正脉冲的过渡时间无直接关系。当时钟（CLK）输入处于高电平或低电平时，D输入信号对输出无影响。SN54ABT273适用于-55°C至125°C的全工作温度范围，SN74ABT273适用于-40°C至85°C的工作温度范围。
商品特性
- 先进的EPIC - IIB BiCMOS设计显著降低功耗
- 闩锁性能超过JEDEC标准JESD - 17规定的500 mA
- 在VCC = 5 V、TA = 25°C时，典型的VOLP（输出接地反弹）< 1 V
- 高驱动输出（-32 mA IOH，64 mA IOL）
- 封装选项包括塑料小外形（DW）、收缩小外形（DB）、薄收缩小外形（PW）封装、陶瓷芯片载体（FK）、塑料（N）和陶瓷（J）双列直插式封装（DIP）以及陶瓷扁平（W）封装
应用领域
- 缓冲和存储寄存器
- 移位寄存器
- 模式发生器