SN74ALS6301N

'ALS6301和'ALS6302动态内存控制器（DMC）专为当今的高性能内存系统而设计。DMC充当任何处理器与动态内存阵列之间的地址控制器。 提供了两个版本，有助于简化与系统动态时序控制器的接口。'ALS6301提供低电平有效行地址选通输入（RASI）和列地址选通输入（CASI），而'ALS6302提供高电平有效行地址选通输入（RASI）和列地址选通输入（CASI）。 DMC使用两个10位地址锁存器，可为高达1M的任何DRAM保存行地址和列地址。这些锁存器和两个行/列刷新地址计数器输入到一个10位、4输入多路复用器，以输出到动态RAM地址线。提供一个2位存储体选择锁存器，用于选择四个RAS和CAS输出之一。这两位通常从两个最高位地址位获得。 'ALS6301和'ALS6302有两种基本操作模式：读写模式和刷新模式。在正常读写操作期间，行地址和列地址被多路复用到动态RAM，相应的RAS和CAS信号被激活，以将地址选通到RAM中。在刷新模式下，两个计数器循环遍历刷新地址。如果未实施内存清理，则仅使用行计数器。当执行内存清理时，行计数器和列计数器都用于执行读 - 修改 - 写循环。在此模式下，所有RAS输出将处于有效状态（低电平），而一次只有一个CAS输出处于有效状态。 DMC设计有高驱动能力输出，能够驱动四个16位字存储体，包括用于错误检测和纠正的六个校验位。 除了高驱动能力输出驱动器外，输出还设计有平衡的输出阻抗（高电平和低电平均为25Ω）。此特性基于安全下冲优化了低电平驱动特性，同时提供对称的高电平驱动特性。它还消除了将输出上拉到MOS电平所需的外部电阻。 通过10位地址路径，当使用1M动态RAM时，DMC最多可控制四个兆字。如果需要更大的内存容量，DMC的片选（CS）功能可通过使用额外的DMC轻松扩展内存容量。 'ALS6301和'ALS6302中的两个10位计数器支持128、256、512和1024行刷新操作。透明、突发、同步或异步刷新模式均可行。

• 为16K、64K、256K和1M动态RAM提供控制
• 最高两位地址位选择四个RAM存储体之一
• 支持清理操作和半字节模式访问
• 用于多通道访问内存的独立输出使能
• 52引脚双列直插式封装