商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 550mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.7nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF@10V |
商品特性
- 国际标准封装
- JEDEC TO-264 AA，环氧树脂符合UL 94V-0阻燃等级分类
- 带氮化铝隔离的miniBLOC
- 低导通电阻（RDS(on)）的HDMOSTM工艺
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 具备非钳位电感开关（UIS）额定值
- 低封装电感
- 快速本征整流器
应用领域
- DC-DC转换器
- 同步整流
- 电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流斩波器
- 温度和照明控制
- 低压继电器