商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 550mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.7nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF |
商品特性
- 低导通电阻。
- 内置栅 - 源保护二极管。
- 小型表面贴装封装(TSMT8)。
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关应用
PCB/SMT工业品
面板定制