温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RS1P600BHTB1
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低导通电阻。 小尺寸表面贴装封装。 无铅镀层，符合RoHS标准。 无卤。 100%进行Rg和UIS测试。应用：初级侧开关。 电机驱动
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RS1P600BHTB1
- 商品编号
- C6663478
- 商品封装
- HSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.189克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用LFPAK56封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。安世半导体（Nexperia）采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合，可实现高效率、低尖峰性能，通常集成肖特基二极管或类肖特基二极管的MOSFET可具备此类性能，但不会产生高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效率应用。
商品特性
- 在I(AS) = 100 A条件下进行100%雪崩测试
- 超低QG、QGD和QOSS，可提高系统效率，尤其在较高开关频率下
- 超快速开关，软恢复
- 低尖峰和振铃，适用于低EMI设计
- 独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术；类肖特基性能，25°C时漏电流< 1 μA
- 针对4.5 V栅极驱动进行优化
- 低寄生电感和电阻
- 高可靠性夹片键合和焊料芯片贴装Power SO8封装；无胶水、无引线键合，可在175°C下工作
- 可波峰焊；外露引脚便于进行最佳目视焊接检查
应用领域
- 服务器和电信设备的板载DC:DC解决方案
- 电信应用中的次级侧同步整流
- 电压调节模块（VRM）
- 负载点（POL）模块
- V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA及系统组件的电源供应
- 有刷和无刷电机控制