RS3E075ATTB1
1个P沟道 耐压:30V 电流:7.5A
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RS3E075ATTB1
- 商品编号
- C6663499
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23.5mΩ@10V,7.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 D²PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具有最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2 W的功率。 对于薄型应用，可选用通孔版本（IRFZ34L、SiHFZ34L）。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 表面贴装
- 薄型通孔（IRFZ34L、SiHFZ34L）
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 符合RoHS标准
- 无卤可选