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IRFIBF20GPBF
1个N沟道 耐压:900V 电流:1.2A
- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220 FULLPAK消除了商业-工业应用中额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料在散热片和外部散热片之间提供了高隔离能力和低热阻。这种隔离相当于标准TO-220产品使用100微米云母屏障。FULLPAK使用单个夹子或单个螺丝固定在散热片上。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFIBF20GPBF
- 商品编号
- C6640033
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 790mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V,720mA | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
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