PJS6461_S1_00001
1个P沟道 耐压:60V 电流:3.2A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJS6461_S1_00001
- 商品编号
- C6628505
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V,3.2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 785pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 当栅源电压VGS为 -10 V、漏极电流ID为 -3.2 A时，导通电阻RDS(ON) < 110 mΩ
- 当栅源电压VGS为 -4.5 V、漏极电流ID为 -1.6 A时，导通电阻RDS(ON) < 130 mΩ
- 高开关速度。
- 改善的dv/dt能力。
- 低栅极电荷。
- 低反向传输电容。
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品。
- 符合IEC 61249标准的环保模塑化合物。
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