PJP60R540E_T0_00001
1个N沟道 耐压:600V 电流:9A 电流:1.3A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJP60R540E_T0_00001
- 商品编号
- C6628482
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A；9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 535mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 531pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NextPower 100 V标准电平栅极驱动MOSFET。可在175°C环境下工作，适用于工业及消费类应用。
商品特性
- 栅源电压(VGS)为10 V、漏极电流(ID)为2.8 A时,导通电阻(RDS(ON)) < 0.535 Ω
- 开关速度快
- 导通电阻低
- 低噪声
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑化合物
应用领域
- 交直流（AC-DC）和直流-直流（DC-DC）同步整流器
- 无刷直流（BLDC）电机控制
- USB-PD和移动快速充电器
- LED照明
- 全桥和半桥应用
- 反激式和谐振拓扑