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PJQ5443_R2_00001
1个P沟道 耐压:40V 电流:50A 电流:9A
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- 描述
- 特性：RDS(ON), VGS@-10V, ID@-10A<12mΩ。 RDS(ON), VS@-4.5V, ID@-8A<17.5mΩ。 高开关速度。 改善的dv/dt能力。 低栅极电荷，低反向传输电容。 符合欧盟RoHS 2.0的无铅产品。 符合IEC 61249标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJQ5443_R2_00001
- 商品编号
- C6628492
- 商品封装
- DFN5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A；50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.767nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 139pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR PN5033型是一款硅P沟道结型场效应晶体管，专为低电平放大器应用而设计。