GS82564Z18GB-250I

GS82564Z18/36 是一款 288Mb 同步静态 SRAM。NBT SRAM 类似于 ZBT、NtRAM、NoBL 或其他流水线读取/双延迟写入或直通读取/单延迟写入 SRAM，通过消除在从读取切换到写入周期时插入取消选择周期的需求，允许利用所有可用的总线带宽。由于是同步器件，地址、数据输入和读/写控制输入在输入时钟的上升沿捕获。突发顺序控制必须连接到电源轨以进行正确操作。异步输入包括睡眠模式使能和输出使能。输出使能可用于覆盖输出驱动器的同步控制，随时关闭 RAM 的输出驱动器。写入周期内部自定时，由时钟输入的上升沿启动。此功能消除了异步 SRAM 所需的复杂片外写入脉冲生成，简化了输入信号时序。GS82564Z18/36 可由用户配置为流水线或直通模式运行。作为流水线同步器件，除了捕获输入信号的上升沿触发寄存器外，该器件还包含一个上升沿触发的输出寄存器。对于读取周期，流水线 SRAM 输出数据在访问周期期间由边沿触发输出寄存器临时存储，然后在下一个时钟上升沿释放到输出驱动器。该器件采用高性能 CMOS 技术实现，并提供符合 JEDEC 标准的 119 凸点或 165 凸点 BGA 封装。

• NBT 功能允许零等待读取-写入-读取总线利用率；与流水线和直通 NtRAM、NoBL 和 ZBT SRAM 引脚兼容
• 2.5 V 或 3.3 V ±10% 核心电源供应
• 2.5 V 或 3.3 V I/O 电源供应
• 用户可配置的流水线和直通模式
• ZQ 模式引脚用于用户可选择的高/低输出驱动
• IEEE 1149.1 JTAG 兼容边界扫描
• LBO 引脚用于线性或交错突发模式
• 与 4Mb、9Mb、18Mb、36Mb 和 72Mb 器件引脚兼容
• 字节写入操作
• 3 个芯片使能信号，便于深度扩展
• ZZ 引脚用于自动掉电
• 符合 RoHS 标准的 119 和 165 凸点 BGA 封装