GS8640Z18GT-300I

品牌名称: 广船国际技术
商品型号: GS8640Z18GT-300I
商品编号: C6627730
商品封装: TQFP-100(14x20)
包装方式: 托盘
商品毛重: 9.6605克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)

	属性	参数值
	功能特性	自动掉电功能

商品概述

GS8640Z18/36GT是一款72Mbit同步静态SRAM。GSI的NBT SRAM，如ZBT、NtRAM、NoBL或其他流水线式读/双延迟写或直通式读/单延迟写SRAM，通过消除设备从读周期切换到写周期时插入取消选择周期的需要，可利用所有可用的总线带宽。由于它是同步设备，地址、数据输入和读/写控制输入在输入时钟的上升沿被捕获。突发顺序控制（LBO）必须连接到电源轨以确保正常运行。异步输入包括睡眠模式使能（ZZ）和输出使能。输出使能可用于覆盖输出驱动器的同步控制，并随时关闭RAM的输出驱动器。写周期在内部自定时，由时钟输入的上升沿启动。此功能消除了异步SRAM所需的复杂片外写脉冲生成，并简化了输入信号时序。GS8640Z18/36GT可由用户配置为在流水线或直通模式下运行。作为流水线同步设备运行时，意味着除了捕获输入信号的上升沿触发寄存器外，该设备还包含一个上升沿触发的输出寄存器。对于读周期，流水线SRAM输出数据在访问周期内由边沿触发的输出寄存器临时存储，然后在时钟的下一个上升沿释放到输出驱动器。GS8640Z18/36GT采用GSI的高性能CMOS技术实现，并提供JEDEC标准的100引脚TQFP封装。

商品特性

NBT（无总线转向）功能允许零等待读写读总线利用率；完全引脚兼容于流水线和流传输NtRAM、NoBL和ZBT SRAM
2.5 V 或 3.3 V ±10% 核心电源供应
2.5 V 或 3.3 V I/O 电源供应
用户可配置的流水线和流传输模式
LBO引脚用于线性或交错突发模式
引脚兼容于4Mb、9Mb、18Mb和36Mb器件
字节写操作（9位字节）
3个芯片使能信号，便于深度扩展
ZZ引脚用于自动掉电
符合RoHS标准的100引脚TQFP封装

数据手册PDF

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